| 型号：IRFB3607GPBF | 类别：FET - 单 | 制造商：International Rectifier |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB |
| 系列 | HEXFET® |
| 制造商 | International Rectifier |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 80A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 100µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 84nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3070pF @ 50V |
| 功率_最大 | 140W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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